我系青年博士高健老师取得重要科研突破，其研究成果以 “Crystallographic anisotropy-dependent mechanochemical removal of GaAs: Nanoasperity experiments and atomistic simulations” 为题，在机械领域权威期刊《Tribology International》上发表。该期刊为中科院分区 SCI 一区、Top 期刊，影响因子达 6.1（DOI：10.1016/j.triboint.2024.110286 ）。

在砷化镓（GaAs）的化学机械抛光（CMP）工艺中，界面机械化学反应是材料去除过程的关键因素，且这一反应与晶体各向异性密切相关。然而，GaAs 材料的复杂性使得传统纳米磨损实验难以深入探究其内在机制，因此，从原子尺度揭示晶体各向异性对机械化学去除的潜在影响机制迫在眉睫。

高健老师带领团队开展了深入研究，利用原子力显微镜（AFM）对不同晶向的 GaAs 表面与 SiO₂微球进行纳米磨粒磨损试验。通过原位 AFM 成像表征发现，材料的去除行为明显受晶体各向异性影响，呈现出（111 > 110 > 100）的规律。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）对磨损区原子结构的表征显示，晶格保持完美，这充分证明了界面机械化学反应在材料去除过程中占据主导地位。此外，通过 DFT 计算结果可知，SiO₂/GaAs 界面的电荷重分配行为决定了机械化学反应的发生，进而导致材料去除对晶体各向异性存在依赖关系。

值得一提的是，此次发表的成果是高健老师在博士期间对砷化镓表面微观摩擦化学去除机理研究的延续。在这篇论文中，高健老师为第一作者，我校为第一署名单位。这一成果不仅彰显了高健老师深厚的学术造诣和卓越的科研能力，也为我系机械学科的发展注入了强大动力，进一步提升了我校在机械领域的学术影响力。